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1N6132USE3

更新时间: 2024-09-25 18:30:19
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 424K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 91.2V V(RWM), Bidirectional,

1N6132USE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.39
击穿电压标称值:108.3 V最大钳位电压:173.4 V
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE极性:BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压:91.2 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YESBase Number Matches:1

1N6132USE3 数据手册

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