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1N6133

更新时间: 2024-09-25 20:15:03
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VMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 213K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 98.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS PACKAGE-2

1N6133 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:E-LALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.36Is Samacsys:N
最大击穿电压:143 V最小击穿电压:117 V
击穿电压标称值:130 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:187 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:E-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压:98.8 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N6133 数据手册

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