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1N6112USE3

更新时间: 2024-09-30 13:23:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 424K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 13.7V V(RWM), Bidirectional,

1N6112USE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.39
Is Samacsys:N击穿电压标称值:16.2 V
最大钳位电压:26.4 V二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性:BIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压:13.7 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
Base Number Matches:1

1N6112USE3 数据手册

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