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1N6070A

更新时间： 2024-02-24 04:23:47

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网二极管电视
页数	文件大小	规格书
1页	58K
描述
1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13, DO-13, 2 PIN

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1N6070A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-13
包装说明：	DO-13, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	200 V
最小击穿电压：	181 V	击穿电压标称值：	190 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	278 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-13
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	160 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6070ACOX.160	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6070ACOX.200	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6070AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6070AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6070AHR	DIGITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
1N6070B	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13, HERMETIC
1N6070E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 155V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6070TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 155V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
1N6071	NJSEMI	获取价格	Diode TVS Single Bi-Dir 165V 1.5KW 2-Pin DO-13
1N6071	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER