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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-213AB |
| 包装说明： | MELF-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.35 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-213AB |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.25 W |
| 标称参考电压： | 110 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 1% |
| 工作测试电流： | 3.4 mA |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5950DUR-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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| 1N5950DUR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 110V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5950E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 11V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
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| 1N5950G | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 110V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5950GE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 110V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5950GTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 110V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5950P | MCC |
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DIODE 110 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, PLASTIC, DO-41 |
|
| 1N5950P | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5950PTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| 1N5950UR-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 110V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GL |
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