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1N5949A

更新时间： 2024-01-16 09:35:42

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鲁光 - LGE		二极管测试
页数	文件大小	规格书
3页	288K
描述
POWER DISSIPATION: 1.5W

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1N5949A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	100 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	20%	工作测试电流：	3.7 mA
Base Number Matches：	1

1N5949A 数据手册

1N5913A-1N5956A

Zener Diodes

POWER DISSIPATION: 1.5W

DO - 41

Features

Silicon planar power zener diodes

No suffix indicates a ±20% tolerance on nominal Vz.

Suffix "A" denotes a ±10%,Suffix "B" denotes a ±5%,

Suffix "C" denotes a ±2%,Suffix "D" denotes a ±1%.

1.00 (25.4)

0.107 (2.7)

MIN.

0.080 (2.0)

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

Mechanical Data

1.00 (25.4)

Case:DO-41

0.034 (0.86)

MIN.

0.028 (0.71)

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Marking: Type Number

Weight: 0.339 grams

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.

SYMBOL

VALUE

UNIT

Zener current (see Table "Characteristics")

1.5¹⁾

150

P_tot

T_J

Power dissipation at T_amb=25

Junction temperature

T_STG

-55---+150

Storage temperature range

SYMBOL

R_θ_JL

MIN

TYP

MAX

45¹⁾

1.2

UNIT

Thermal resistance junction to lead

Forw ard voltage at I_F=200mA

NOTES: (1) Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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