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1N5622US

更新时间: 2024-09-27 23:18:23
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Standard Rectifier (trr more than 500ns)

1N5622US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.18Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:2 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5622US 数据手册

 浏览型号1N5622US的Datasheet PDF文件第2页 

1N5622US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N5622US MICROSEMI

完全替代

暂无描述

与1N5622US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5622USV SENSITRON

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon,
1N5622UV SENSITRON

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暂无描述
1N5622V SENSITRON

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
1N5622X MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
1N5623 MICROSEMI

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1N5623 VISHAY

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RECTIFIER, up to 1kV, 2A, 150-500ns