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1N5623

更新时间： 2024-11-27 14:53:55
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
6页 570K
描述
1A,1000V Through-Hole Rectifier-Fast Recovery <500ns Single

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1N5623 技术参数

生命周期：Active包装说明：E-PALF-W2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.07
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：E-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.5 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1N5623 数据手册

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1N5615 1N5621  
1N5617 1N5623  
1N5619  
www.centralsemi.com  
FAST RECOVERY  
GLASS PASSIVATED  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5615 series  
types are silicon rectifiers mounted in a hermetically  
sealed, glass passivated package, designed for general  
purpose applications where fast reverse recovery times  
and high reliability is desired.  
SILICON RECTIFIERS  
1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLT  
MARKING: FULL PART NUMBER  
GPR-1A CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL 1N5615 1N5617 1N5619 1N5621 1N5623 UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
200  
200  
140  
400  
400  
280  
600  
800  
800  
560  
1000  
1000  
700  
V
RRM  
V
600  
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
420  
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =55°C)  
A
I
1.0  
A
O
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms  
I
50  
A
FSM  
Operating and Storage Junction Temperature T , T  
-65 to +200  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V =Rated V  
0.5  
μA  
μA  
V
R
R
RRM  
I
V =Rated V  
, T =100°C  
25  
R
R
RRM  
A
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =50μA (1N5615)  
220  
440  
660  
880  
1100  
R
R
R
R
R
R
I =50μA (1N5617)  
V
R
I =50μA (1N5619)  
V
R
I =50μA (1N5621)  
V
R
I =50μA (1N5623)  
V
R
V
I =1.0A  
1.2  
35  
V
F
F
C
V =12V, f=130kHz  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
J
R
t
t
t
t
I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A (1N5615, 1N5617)  
150  
250  
300  
500  
rr  
F
R
rr  
I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A (1N5619)  
rr  
rr  
rr  
F
R
rr  
I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A (1N5621)  
F
R
rr  
I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A (1N5623)  
F
R
rr  
R1 (28-February 2013)  
123456

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与1N5623相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5623B NJSEMI

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 		Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-15
1N5623BK CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
1N5623GP VISHAY

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER
1N5623GP/100-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5623GP/4E VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5623GP/4E-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5623GP/4F-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5623GP/4G VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5623GP/4G-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5623GP/4H VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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