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1N5623

更新时间: 2024-11-25 22:37:39
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
MILITARY RECTIFIERS

1N5623 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, A, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.04Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.5 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5623 数据手册

 浏览型号1N5623的Datasheet PDF文件第2页 

1N5623 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N5623 MICROSEMI

完全替代

MILITARY RECTIFIERS
JANS1N5623 MICROSEMI

功能相似

MILITARY RECTIFIERS

与1N5623相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5623B NJSEMI

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1N5623BK CENTRAL

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1N5623GP/100-E3 VISHAY

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DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5623GP/4E VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5623GP/4E-E3 VISHAY

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DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5623GP/4F-E3 VISHAY

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DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5623GP/4G VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5623GP/4G-E3 VISHAY

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DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N5623GP/4H VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN