1N5620GP

更新时间： 2024-01-08 03:15:26

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威世 - VISHAY		整流二极管
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4页	75K
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Glass Passivated Junction Rectifier

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1N5620GP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-MELF-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.63
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-MELF-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	2 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

1N5620GP 数据手册

1N5614GP thru 1N5622GP

Vishay General Semiconductor

100

T_J= 25 °C

f = 1.0 MHz

V_sig= 50 mV_p-p

T_J= 150 °C

T_J= 25 °C

0.1

Pulse Width = 300 μs

1 % Duty Cycle

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

Reverse Voltage (V)

100

Instantaneous Forward Voltage (V)

Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics

Fig. 5 - Typical Junction Capacitance

T_J= 125 °C

T_J= 75 °C

0.1

T_J= 25 °C

0.01

100

Rated Peak Reverse Voltage (%)

Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)

DO-204AC (DO-15)

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

DIA.

1.0 (25.4)

MIN.

0.300 (7.6)

0.230 (5.8)

0.140 (3.6)

0.104 (2.6)

DIA.

1.0 (25.4)

MIN.

Document Number: 88520

Revision: 15-Mar-11

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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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