5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 80 Ω | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 11 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 1 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5531B-1 | MICROSEMI |
功能相似  |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| JANTXV1N5531B | MICROSEMI |
功能相似 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
|
| JANTX1N5531B-1 | MICROSEMI |
功能相似 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5531B(DO35) | ETC |
获取价格 |
Low Voltage Avalanche Zener[Qual Data] |
|
| 1N5531B(DO35)E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5531B-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
|
| 1N5531B-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5531B-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET |
|
| 1N5531B-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET |
|
| 1N5531B-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5531BBKPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| 1N5531BCO | AEROFLEX |
获取价格 |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DIE-1 |
|
| 1N5531BD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
