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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.62 |
| 其他特性： | LOW VOLTAGE AVALANCHE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 标称参考电压： | 11 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 1 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5531B-1 | CDI-DIODE |
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LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
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| 1N5531B-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5531B-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET |
|
| 1N5531B-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET |
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| 1N5531B-1TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N5531BBKPBFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, |
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| 1N5531BCO | AEROFLEX |
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Zener Diode, 11V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DIE-1 |
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| 1N5531BD7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N5531BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N5531BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET |
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