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1N5463B

更新时间: 2024-11-19 14:30:19
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
2页 206K
描述
Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7

1N5463B 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.05
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:30 V配置:SINGLE
二极管电容容差:5%最小二极管电容比:2.8
标称二极管电容:10 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最小质量因数:550
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED变容二极管分类:ABRUPT
Base Number Matches:1

1N5463B 数据手册

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