1N5408G

更新时间： 2024-01-02 21:29:41

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EIC		整流二极管 PC
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描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS

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1N5408G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.09
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5408G 数据手册

GLASS PASSIVATED JUNCTION

SILICON RECTIFIERS

1N5400G - 1N5408G

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 3.0 Amperes

DO - 201AD

FEATURES :

* Glass passivated chip

* High current capability

* High reliability

1.00 (25.4)

0.21 (5.33)

MIN.

0.19 (4.83)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

0.375 (9.53)

0.285 (7.24)

MECHANICAL DATA :

1.00 (25.4)

* Case : DO-201AD Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

0.052 (1.32)

MIN.

0.048 (1.22)

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 1.21 grams

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G

SYMBOL

VRRM

UNIT

1000 Volts

700 Volts

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

VRMS

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

100

1000 Volts

Maximum Average Forward Current

0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75 °C

Peak Forward Surge Current

IF(AV)

3.0

Amps.

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

IFSM

150

1.0

Amps.

Volts

Maximum Forward Voltage at IF = 3.0 Amps.

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 °C

IR(H)

5.0

Ta = 100 °C

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Junction Temperature Range

RqJA

°C/W

°C

- 65 to + 175

Storage Temperature Range

TSTG

°C

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0VDC

(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.

UPDATE : MAY 27, 1998

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与1N5408G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5408G(LS)	DIODES	获取价格	1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
1N5408G-A	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5408G-B	DIODES	获取价格	3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N5408G-E	GULFSEMI	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A
1N5408G-F	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5408GH31-1	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5408GH32	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5408GH35	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5408GH36-1	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5408GH36-4	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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