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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JEDEC-95代码： | DO-27 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5408G(LS) | DIODES |
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1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIERS |
|
| 1N5408G-A | DIODES |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
|
| 1N5408G-B | DIODES |
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3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
|
| 1N5408G-E | GULFSEMI |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
|
| 1N5408G-F | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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| 1N5408GH31-1 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5408GH32 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5408GH35 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5408GH36-1 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5408GH36-4 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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