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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.09 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-201AD |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5408G(LS) | DIODES |
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1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIERS |
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| 1N5408G-A | DIODES |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
|
| 1N5408G-B | DIODES |
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3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
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| 1N5408G-E | GULFSEMI |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
|
| 1N5408G-F | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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| 1N5408GH31-1 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5408GH32 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5408GH35 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5408GH36-1 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5408GH36-4 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
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