1N5395

更新时间： 2024-02-21 07:00:44

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管 IOT
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描述
Silicon Rectifiers

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1N5395 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N5395 数据手册

1N 5391 … 1N 5399, BY 127

Silicon Rectifiers

Silizium Gleichrichter

Nominal current – Nennstrom

1.5 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

50…1000 V

Plastic case

DO-15

Kunststoffgehäuse

DO-204AC

Weight approx. – Gewicht ca.

0.4 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

V_RRM[V]

1N 5391

1N 5392

1N 5393

1N 5394

1N 5395

1N 5396

1N 5397

1N 5398

1N 5399

BY 127

100

200

100

200

300

400

500

600

800

1000

800

300

400

500

600

800

1000

1200

1250

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50ꢀC

T_A= 100ꢀC

I_FAV

1.5 A ¹)

0.9 A ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

T_A= 25ꢀC

I_FRM

I_FSM

i²t

10 A ¹)

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

50 A

Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms

12.5 A²s

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

28.02.2002

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