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1N5367B

更新时间： 2024-02-26 14:26:13

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KISEMICONDUCTOR		二极管齐纳二极管测试 IOT
页数	文件大小	规格书
5页	428K
描述
5 Watt Zener Diode 5.1 to 200 Volts

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1N5367B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	标称参考电压：	43 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	20%
工作测试电流：	30 mA	Base Number Matches：	1

1N5367B 数据手册

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES

1N5338B THRU 1N5388B

ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

(FIGURES 7,8)

VZ = 6.8V

T_C= 25

T = 25

1000

PLOTTED FROM INFORMATION

100

GIVEN IN FIGURE 5

0.5

0.2

0.1

100

1000

VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)

Fig. 6-PEAK SURGE CURRENT VERSUS PULSE

WIDTH(SEE NOTE 3)

Fig. 7-ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

VZ = 6.8 THRU 10 VOLTS

1000

T = 25

100

0.1

VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)

Fig. 8-ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

VZ = 11 THRU 51 VOLTS

*** Data of Figure 3 should not be used to compute surge capability. Surge limitations are given in Figure 5. They are

lower than would be expected by considering only junction temperature, as current crowding effects cause

temperatures to be extremely high in small spots resulting in device degradation should the limits of Figure. 5 be

exceeded

KI SEMICONDUCTOR

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