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1N5358BRL

更新时间： 2024-01-28 04:29:18

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摩托罗拉 - MOTOROLA		测试二极管
页数	文件大小	规格书
8页	119K
描述
22V, 5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, CASE 17-02, 2 PIN

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1N5358BRL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.24	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	3.5 Ω
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	22 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	50 mA

1N5358BRL 数据手册

1N5333B through 1N5388B

1000

100

T = 25°C

100

0.1

100

120

140

160

180

200

220

V , ZENER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 9. Zener Voltage versus Zener Current

= 11 thru 75 Volts

Figure 10. Zener Voltage versus Zener Current

= 82 thru 200 Volts

APPLICATION NOTE

Since the actual voltage available from a given zener diode

is temperature dependent, it is necessary to determine junc-

tiontemperatureunderanysetofoperatingconditionsinorder

to calculate its value. The following procedure is recom-

mended:

For worst-case design, using expected limits of I , limits of

and the extremes of T (∆T ) may be estimated. Changes

J J

in voltage, V , can then be found from:

∆V = θ

∆T

,thezenervoltagetemperaturecoefficient,isfoundfrom

Lead Temperature, T , should be determined from:

Figures 2 and 3.

T = θ

+ T

Under high power-pulse operation, the zener voltage will

vary with time and may also be affected significantly by the

zenerresistance. Forbestregulation, keepcurrentexcursions

as low as possible.

is the lead-to-ambient thermal resistance and P is the

power dissipation.

Junction Temperature, T , may be found from:

T = T + ∆T

Data of Figure 4 should not be used to compute surge capa-

bility. Surge limitations are given in Figure 6. They are lower

than would be expected by considering only junction tempera-

ture, as current crowding effects cause temperatures to be ex-

tremely high in small spots resulting in device degradation

should the limits of Figure 6 be exceeded.

∆T is the increase in junction temperature above the lead

temperature and may be found from Figure 4 for a train of

power pulses or from Figure 5 for dc power.

∆T = θ

Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.

Motorola TVS/Zener Device Data

5 Watt Surmetic 40 Data Sheet

6-5

1 2 3 456 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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1N5358BTR	CENTRAL	获取价格	Zener Diode, 22V V(Z), 5W, Silicon, Unidirectional
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