1N5353BE-T

更新时间： 2024-02-20 00:55:56

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美微科 - MCC		二极管齐纳二极管测试
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Zener Diode,

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1N5353BE-T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	16 V	最大反向电流：	1 µA
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	75 mA
Base Number Matches：	1

1N5353BE-T 数据手册

M C C

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES

1N5338B THRU 1N5369B

Micro Commercial Components

ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

(FIGURES 7,8)

VZ = 6.8V

T_C= 25

T = 25

1000

PLOTTED FROM INFORMATION

100

GIVEN IN FIGURE 5

0.5

0.2

0.1

100

1000

VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)

Fig. 6-PEAK SURGE CURRENT VERSUS PULSE

WIDTH(SEE NOTE 3)

Fig. 7-ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

VZ = 6.8 THRU 10 VOLTS

1000

T = 25

100

0.1

VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)

Fig. 8-ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT

VZ = 11 THRU 51 VOLTS

*** Data of Figure 3 should not be used to compute surge capability. Surge limitations are given in Figure 5. They are

lower than would be expected by considering only junction temperature, as current crowding effects cause

temperatures to be extremely high in small spots resulting in device degradation should the limits of Figure. 5 be

exceeded

w w w.m c c s e m i.c o m

Revision: A

2011/01/01

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