1N5283

更新时间： 2024-02-16 22:03:41

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描述
SILICON CURRENT LIMITING DIODE DESCRIPTION:

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1N5283 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.08
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	CURRENT REGULATOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大限制电压：	1 V	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	标称调节电流 (Ireg)：	0.22 mA
表面贴装：	NO	技术：	FIELD EFFECT
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5283 数据手册

1N5283 THRU 1N5314

SILICON CURRENT LIMITING DIODE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued: (T =25°C)

Regulator

Current

(Note 1)

Minimum

Dynamic

Impedance

Minimum

Knee

Impedance

Maximum

Limiting

Voltage

Type

@ V =25V

@ V =6.0V

@ I =0.8 x I MIN

MIN

NOM

MAX

MΩ

1N5299

1N5300

1N5301

1N5302

1N5303

1N5304

1N5305

1N5306

1N5307

1N5308

1N5309

1N5310

1N5311

1N5312

1N5313

1N5314

1.08

1.17

1.26

1.35

1.44

1.62

1.80

1.98

2.16

2.43

2.70

2.97

3.24

3.51

3.87

4.23

1.20

1.30

1.40

1.50

1.60

1.80

2.00

2.20

2.40

2.70

3.00

3.30

3.60

3.90

4.30

4.70

1.32

1.43

1.54

1.65

1.76

1.98

2.20

2.42

2.64

2.97

3.30

3.63

3.96

4.29

4.73

5.17

0.640

0.580

0.540

0.510

0.475

0.420

0.395

0.370

0.345

0.320

0.300

0.280

0.265

0.255

0.245

0.235

0.155

0.135

0.115

0.105

0.092

0.074

0.061

0.052

0.044

0.035

0.029

0.024

0.020

0.017

0.014

0.012

1.45

1.50

1.55

1.60

1.65

1.75

1.85

1.95

2.00

2.15

2.25

2.35

2.50

2.60

2.75

2.90

DO-35 CASE - MECHANICAL OUTLINE

R3 (24-May 2010)

www.centralsemi.com

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