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1N5239BT/R

更新时间: 2024-01-10 18:04:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
7页 39K
描述
DIODE 9.1 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

1N5239BT/R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.2
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:20%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N5239BT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
1N5225B to 1N5267B  
Voltage regulator diodes  
1996 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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