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1N4912A

更新时间： 2024-02-16 05:58:52
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 533K
描述
Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12.16; Max TMS Bridge Input Voltage: 12.8; Max DC Reverse Voltage: 13.44; Capacitance: 0.01; Package: DO-35

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1N4912A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.55
其他特性：LOW NOISE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：12.8 V表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max：1.28 mV/ °C
最大电压容差：5%Base Number Matches：1

1N4912A 数据手册

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1N4896(A)-1N4915(A)  
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES  
High-reliability discrete products  
and engineering services since 1977  
FEATURES  
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.  
MAXIMUM RATINGS  
Characteristics  
Symbol  
TJ, TSTG  
RѲJL  
Value  
-65 to +175  
300  
Unit  
°C  
Operating and storage temperature  
Thermal resistance, junction to lead @ 0.375” from body  
Off state power dissipation @ TA = 50°C (1)  
Maximum reverse current @ TA = 25°C and VR = 8V  
°C/W  
mW  
µA  
PD  
500  
IRM  
15  
Solder temperature @ 10s  
TSP  
260  
°C  
Note 1: Derate at 4mW/°C above TA = 50°C.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Maximum voltage  
Effective  
temperature  
coefficient  
(Note 3)  
Maximum  
Test current  
(Notes 1 & 5)  
change with  
temperature  
(Notes 2 & 5)  
Temperature  
range  
dynamic  
impedance  
(Note 4)  
Maximum noise  
density  
Part  
number  
IZT  
mA  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
∆VZ  
αvz  
ZZT  
Ohms  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
ND  
µV/√Hz  
0.8  
Volts  
0.096  
0.198  
0.048  
0.099  
0.019  
0.040  
0.010  
0.20  
°C  
± %/°C  
0.01  
1N4896  
1N4896A  
1N4897  
1N4897A  
1N4898  
1N4898A  
1N4899  
1N4899A  
1N4900  
1N4900A  
1N4901  
1N4901A  
1N4902  
1N4902A  
1N4903  
1N4903A  
1N4904  
1N4904A  
1N4905  
1N4905A  
1N4906  
1N4906A  
To +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
+25 to +100  
-55 to +100  
0.01  
0.8  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.001  
0.001  
0.01  
0.8  
0.8  
0.8  
0.8  
0.8  
0.8  
0.096  
0.198  
0.048  
0.099  
0.019  
0.040  
0.010  
0.020  
0.096  
0.198  
0.048  
0.099  
0.019  
0.040  
0.4  
0.01  
0.4  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.001  
0.001  
0.01  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.01  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
Rev. 20121112  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4912A-1 CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35,
1N4912AE3 MICROSEMI

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