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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.55 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 12.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.256 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4898A | MICROSEMI |
完全替代  |
12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4897A | MICROSEMI |
完全替代 |
12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4900A | MICROSEMI |
完全替代 |
12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4914A-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, |
|
| 1N4914AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
|
| 1N4915 | MICROSEMI |
获取价格 |
12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4915 | CDI-DIODE |
获取价格 |
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4915 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode |
|
| 1N4915-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, |
|
| 1N4915A | MICROSEMI |
获取价格 |
12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4915A | CDI-DIODE |
获取价格 |
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4915A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode |
|
| 1N4915A-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, |
|
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