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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 12.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 1.28 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 7.5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4912AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
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| 1N4912E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
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| 1N4913 | MICROSEMI |
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12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4913 | NJSEMI |
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Diode |
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| 1N4913 | CDI-DIODE |
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TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4913 | DIGITRON |
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Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12.16; Max TMS B |
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| 1N4913-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, |
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| 1N4913A | MICROSEMI |
获取价格 |
12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4913A | CDI-DIODE |
获取价格 |
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4913A | DIGITRON |
获取价格 |
Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12.16; Max TMS B |
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