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1N4730DUR-1

更新时间： 2024-01-09 18:25:10

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美高森美 - MICROSEMI		测试二极管
页数	文件大小	规格书
5页	141K
描述
Zener Diode, 3.9V V(Z), 1%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

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1N4730DUR-1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-213AB
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	9 Ω	JEDEC-95代码：	DO-213AB
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3.9 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	1%
工作测试电流：	64 mA	Base Number Matches：	1

1N4730DUR-1 数据手册

1N4728UR-1 thru 1N4764AUR-1,e3

(or MLL4728A-1 thru MLL4764A-1,e3)

METALLURGICALLY BONDED GLASS

SURFACE MOUNT 1.0 W ZENERS

S C O T T S D A L E D I V I S I O N

GRAPHS

STEADY-STATE POWER DERATING

T_EC

T_A

Temperature (^oC)

FIGURE 2

FIGURE 1

Power Derating Curve Where T_ECis End Cap Temp

and T_Ais Ambient Temperature on FR4 PC board.

PACKAGE DIMENSIONS

PAD LAYOUT

INCHES

MILLIMETERS

MIN MAX

2.39 2.66

INCHES

.276

DIM

MIN

MAX

0.105

0.205

0.022

7.00

1.8

0. 094

0. 189

0.016

0.070

0.110

4.80

0.41

5.20

0.55

2.8

10-18-2005 REV A

Microsemi

Page 3

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

1 234 5

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