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1N4174B

更新时间: 2024-09-18 18:42:11
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CENTRAL 测试二极管
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1页 25K
描述
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41,

1N4174B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.45
Is Samacsys:N其他特性:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:45 ΩJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:33 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:7.5 mA
Base Number Matches:1

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