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1N4007G-T3-LF

更新时间: 2024-02-14 07:06:56
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固锝 - GOOD-ARK 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 87K
描述
暂无描述

1N4007G-T3-LF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.03
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:1000 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N4007G-T3-LF 数据手册

 浏览型号1N4007G-T3-LF的Datasheet PDF文件第1页 
Glass Passivated Standard Rectifier  
Rating and Characteristic Curves 1N4001G THRU 1N4007G  
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE  
PEAK FORWARD SURGE CURRENT  
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE  
1.0  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Pulse Width 8.3ms  
Single Half-Sire-Wave  
(JEDEC Method)  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
60 Hz Resistive or  
Inductive load  
0
0
0
50  
100  
150  
1
10  
100  
LEAD TEMPERATURE, oC  
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz  
FIG.3 - TYPICAL INSTANTANEOUS  
FORWARD CHARACTERISTICS  
FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS  
10  
1.0  
100  
TJ=125oC  
10  
1
0.1  
0.1  
TJ=25oC  
TJ=25oC  
PULSE WIDTH=300uS  
1% DUTY CYCLE  
0.01  
0.01  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
0
20  
40  
60  
80  
100  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,  
VOLTS  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%  
FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE  
100  
10  
1
TJ = 25oC  
f = 1.0 MHZ  
Vsig = 50mVp-p  
0.1  
1.0  
4.0 10  
100  
REVERSE VOLTAGE, VOLTS  
-G” suffix designates RoHS compliant Version  

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