5秒后页面跳转
1N4002H-T-BP PDF预览

1N4002H-T-BP

更新时间: 2024-01-02 05:22:05
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 444K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN

1N4002H-T-BP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-41
包装说明:DO-41, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.59
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:2 µs表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N4002H-T-BP 数据手册

 浏览型号1N4002H-T-BP的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N4002H-T-BP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
Micro Commercial Components  
1N4001H-T thru 1N4007H-T  
Figure 1  
Typical Forward Characteristics  
20  
Figure 2  
10  
6
Forward Derating Curve  
1.2  
1.0  
.8  
4
2
1
.6  
.4  
Amps  
.6  
Amps  
.4  
.2  
25°C  
.2  
.1  
Single Phase, Half Wave  
60Hz Resistive or Inductive Load  
.06  
.04  
0
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0
°C  
.02  
.01  
Average Forward Rectified Current - Amperes versus  
Ambient Temperature - °C  
.4  
.6  
1.4  
.8  
1.0  
1.2  
Volts  
Instantaneous Forward Current - Amperes versus  
Instantaneous Forward Voltage - Volts  
Figure 3  
Junction Capacitance  
100  
60  
40  
20  
TJ=25°C  
pF  
10  
6
4
2
1
.1  
.2  
.4  
1
2
10  
20  
200 400  
1000  
4
40  
100  
Volts  
Junction Capacitance - pF versus  
Reverse Voltage - Volts  
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2004/03/30  

与1N4002H-T-BP相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N4002H-T-T MCC 暂无描述

获取价格

1N4002H-T-TP MCC Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN

获取价格

1N4002ID NXP Rectifiers

获取价格

1N4002L DIODES 1.0A RECTIFIER

获取价格

1N4002L GOOD-ARK 1.0 AMP.GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

获取价格

1N4002LEADFREE CENTRAL 暂无描述

获取价格