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1N4002-Q

更新时间： 2024-01-18 08:46:32

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德欧泰克 - DIOTEC		IOT 二极管
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2页	154K
描述
Standard Recovery Rectifier Diodes

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1N4002-Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DO-41, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AC	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	1.5 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

1N4002-Q 数据手册

1N4001GP ... 1N4007GP, 1N4001-Q ... 1N4007-Q

I_FAV= 1 A

V_F< 1.1 V

T_jmax= 175°C t_rr

V_RRM= 50...1000 V

I_FSM= 27/30 A

1N4001GP ... 1N4007GP, 1N4001-Q ... 1N4007-Q

Standard Recovery Rectifier Diodes

Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug

~ 1500 ns

Version 2017-06-16

Typical Application

~DO-41 / ~DO-204AC

Typische Anwendung

50/60 Hz Netzgleichrichtung,

Stromversorgungen, Verpolschutz

Sonderausführung ¹)

50/60 Hz Mains Rectification,

Power Supplies, Polarity Protection

Special grade ¹)

Version -Q: AEC-Q101 compliant ¹)

Version -Q: AEC-Q101 konform ¹)

Ø 2.6^±0.2

Features

Besonderheit

Glaspassivierte Sperrschicht

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien ¹)

Glass passivated junction

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals ¹)

Mechanical Data ¹)

Mechanische Daten ¹)

Gegurtet in Ammo-Pack

Gewicht ca.

Taped in ammo pack

5000

0.4 g

Ø 0.77^±0.07

Weight approx.

Case material

UL 94V-0

260°C/10s

MSL N/A

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

Löt- und Einbaubedingungen

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings ²)

Grenzwerte ²)

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

1N4001GP / 1N4001-Q

1N4002GP / 1N4002-Q

1N4004GP / 1N4004-Q

1N4005GP / 1N4005-Q

1N4007GP / 1N4007-Q

100

400

600

1000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 75°C

T_A= 100°C

1 A ³)

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

0.8 A ³)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

5.4 A ³)

Peak forward surge current

Stoßstrom in Fluss-Richtung

Half sine-wave

Sinus-Halbwelle

50 Hz (10 ms)

60 Hz (8.3 ms)

27 A

30 A

Rating for fusing

Grenzlastintegral

t < 10 ms

3.6 A²s

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+175°C

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

T_A= 25°C unless otherwise specified – T_A= 25°C wenn nicht anders angegeben

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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与1N4002-Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4002R	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon,	获取价格
1N4002R-B	FRONTIER	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon,	获取价格
1N4002RL	ONSEMI	Axial Lead Standard Recovery Rectifiers	获取价格
1N4002RL	MOTOROLA	1A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41, PLASTIC, CASE 59-03, 2 PIN	获取价格
1N4002RLG	ONSEMI	Axial Lead Standard Recovery Rectifiers	获取价格
1N4002R-T/R	FRONTIER	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon,	获取价格

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