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1N4002-Q

更新时间: 2024-01-26 09:53:48
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德欧泰克 - DIOTEC IOT二极管
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
Standard Recovery Rectifier Diodes

1N4002-Q 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DO-41, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.23
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204ACJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:1.5 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

1N4002-Q 数据手册

 浏览型号1N4002-Q的Datasheet PDF文件第1页 
1N4001GP ... 1N4007GP, 1N4001-Q ... 1N4007-Q  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
Tj = 25°C  
IF = 1 A  
VR = VRRM  
VR = 4 V  
VF  
IR  
< 1.1 V  
Leakage current, instantenous  
Sperrstrom, Augenblickswert  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
< 5 µA  
< 50 µA  
Junction capacitance  
Sperrschichtkapzität  
Cj  
typ. 15 pF  
typ. 1500 ns  
< 45 K/W 1)  
< 15 K/W 2)  
Reverse recovery time  
Sperrverzug  
IF = 0.5 A through/über  
IR = 1 A to IR = 0.25 A  
trr  
Thermal resistance junction to ambient  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung  
RthA  
RthL  
Thermal resistance junction to leads  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
120  
[%]  
102  
100  
[A]  
10  
Tj = 125°C  
80  
Tj = 25°C  
60  
1
40  
10-1  
IF  
20  
IFAV  
0
50a-(1a-1.1v)  
10-2  
0
TA  
100  
150  
50  
[°C]  
Rated forward current versus ambient temperature1)  
0.4  
1.0  
1.4  
VF 0.8  
1.2  
[V] 1.8  
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
102  
[A]  
10  
îF  
1
1
10  
102  
[n]  
103  
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz  
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz  
Disclaimer: See data book page 2 or website  
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet  
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
In 3 mm distance from case  
In 3 mm Abstand vom Gehäuse  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG  
 
 

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