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1N3909ARE3

更新时间： 2024-11-20 05:38:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1PIN

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1N3909ARE3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DO-5, 1PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.48
应用：FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-203AB
JESD-30 代码：O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：50 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT参考标准：MIL-19500/308A
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：0.15 µs
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER

1N3909ARE3 数据手册

 浏览型号1N3909ARE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N3909ARE3的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
HIGH RELIABILITY FAST RECOVERY RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/308  
• 150°C Junction Temperature • VRRM 50 to 400 Volts  
• 50 Amps Current Rating  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
1N3909 1N3912  
1N3910 1N3913  
1N3910A 1N3913A 1N3911R 1N3909AR 1N3912AR  
1N3911A 1N3909R 1N3912R 1N3910AR 1N3913AR  
1N3911 1N3909A 1N3912A 1N3910R 1N3913R 1N3911AR  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
1N3909 / A / R / AR  
Symbol  
Value  
Unit  
50  
Peak Reverse Voltage  
1N3910 / A / R / AR  
1N3911 / A / R / AR  
1N3912 / A / R / AR  
1N3913 / A / R / AR  
100  
200  
300  
400  
VRWM  
V
1N3909 / A / R / AR  
1N3910 / A / R / AR  
1N3911 / A / R / AR  
1N3912 / A / R / AR  
1N3913 / A / R / AR  
50  
100  
200  
300  
400  
Peak Working Reverse Voltage  
VRRM  
V
Average Forward Current, TC = 100°  
Peak Surge Forward Current @  
IF  
50  
A
A
1N3909 / R Thru 1N3913 / R  
300  
400  
IFSM  
8.3ms, half sinewave, TC = 100°C 1N3909A / AR Thru 1N3913A / AR  
DO-203AB (DO-5)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
0.8  
°C/W  
°C  
RθJC  
Tj  
Operating Case Temperature Range  
-65°C to 150°C  
-65°C to 175°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions Symbol  
Min.  
Max.  
1.4  
Unit  
V
Forward Voltage  
VFM  
VFM  
IFM = 50A, TC = 25°C*  
Forward Voltage  
2.75  
V
IFM = 400A, TC = 150°C**  
Reverse Current  
VRM = 50V, TC = 25°C  
VRM = 100V, TC = 25°C  
1N3909 / A / R  
1N3910 / A / R  
1N3911 / A / R  
1N3912 / A / R  
1N3913 / A / R  
V
RM = 200V, TC = 25°C  
VRM = 300V, TC = 25°C  
RM = 400V, TC= 25°C  
IRM  
15  
μA  
V
Reverse Current  
VRM = 50V, TC = 150°C  
1N3909 / A / R  
1N3910 / A / R  
1N3911 / A / R  
1N3912 / A / R  
1N3913 / A / R  
V
RM = 100V, TC = 150°C  
VRM = 200V, TC = 150°C  
RM = 300V, TC = 150°C  
IRM  
6
mA  
ns  
V
VRM = 400V, TC = 150°C  
Reverse Recovery Time  
VRM = 30V, IF = 1A  
1N3909 / A Thru 1N3913 / A  
1N3909A / AR Thru 1N3913A / AR  
200  
150  
Trr  
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
** Pulse test: Pulse width 800 µsec  
T4-LDS-0144 Rev. 1 (091810)  
Page 1 of 3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3909E3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1PIN
1N3909-N13 IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN
1N3909-PBF DIGITRON

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 		Rectifier Diode
1N3909R MICROSEMI

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 		HIGH RELIABILITY FAST RECOVERY RECTIFIER
1N3909R IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon,
1N3909R SSDI

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