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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.9 |
| Is Samacsys： | N | 最小截止频率： | 1.6 MHz |
| 最大二极管电容： | 90 pF | 最大二极管正向电阻： | 0.3 Ω |
| 二极管类型： | TUNNEL DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.5 V |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最大峰点电流： | 10 mA | 峰值电压最大值： | |
| 子类别： | Microwave Special Purpose Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3719 | NJSEMI |
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Germanium Diodes |
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| 1N3719 | AMMSEMI |
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TUNNER DIODES |
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| 1N3720 | NJSEMI |
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Germanium Diodes |
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| 1N3721 | NJSEMI |
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Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
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| 1N3728 | NJSEMI |
获取价格 |
Si Rectifier |
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| 1N3731 | ETC |
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silicon diode |
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| 1N3735 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N3735 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon RECTIFIERS |
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| 1N3735 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 250 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode |
|
| 1N3735E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 100V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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