5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.55 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JEDEC-95代码： | DO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最大输出电流： | 5 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2794RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N2795 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N2795 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifiers |
|
| 1N2795E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N2795R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N2795RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N2796 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifiers |
|
| 1N2796 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N2796E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N2796R | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
