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1N6298CA

更新时间： 2024-02-08 16:44:30

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	380K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 1 , 2 PIN

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1N6298CA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.35
最大击穿电压：	137 V	最小击穿电压：	124 V
击穿电压标称值：	130 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	179 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	111 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL

TECHNICAL DATA SHEET

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.

Tel: +353 (0) 65 6840044, Fax: +353 (0) 65 6822298

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

Tel: 1-800-446-1158 / (978) 794-1666, Fax: (978) 6890803

Website: http://www.microsemi.com

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GRAPHS

Pulse Time (tw) in s

FIGURE 2 Pulse Wave Form

FIGURE 1 – Peak Pulse Power vs. Pulse Time (tw) in µs

T_LLead Temperature ^oC

FIGURE 3 Derating Curve

FIGURE 4 Typical Capacitance vs.

Breakdown Voltage

RF01008 Rev B, August 2010

High Reliability Product Group

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N6298CA-BP	MCC	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
1N6298CAE3	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH	获取价格
1N6298CAE3TR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH	获取价格
1N6298CAHE3	VISHAY	DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PI	获取价格
1N6298CAHE3/54	VISHAY	DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Transi	获取价格
1N6298CA-HE3/54	VISHAY	DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PI	获取价格