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1N5402G

更新时间: 2024-02-13 05:00:24
品牌 Logo 应用领域
DEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 390K
描述
3 AMP SOFT GLASS PASSIVATED SILICON DIODES

1N5402G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.05
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-201AD
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1N5402G 数据手册

 浏览型号1N5402G的Datasheet PDF文件第1页 
DIOTEC ELECTRONICS CORP.  
18020 Hobart Blvd., Unit B  
Data Sheet No. GPPD-300-2B  
Gardena, CA 90248 U.S.A  
Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958  
3 AMP SOFT GLASS PASSIVATED SILICON DIODES  
RATING & CHARACTERISTIC CURVES FOR SERIES 1N5400G - 1N5408G  
FIGURE 1. FORWARD CURRENT DERATING CURVE  
FIGURE 2. FORWARD SURGE CURRENT  
100  
10  
.1  
1.0  
o
TJ = 25  
C
0.1  
NOTE 2  
0
40  
0.01  
FIGURE 4. TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
1.8  
FIGURE 3. TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS  
o
TJ = 25  
C
NOTES  
FIGURE 5. TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE  
H16  

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