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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 1N5365B
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1N5365B

更新时间： 2024-02-07 13:28:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管测试
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
5 Watt Surmetic 40 Zener Voltage Refulators

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1N5365B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.48外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
标称参考电压：36 V表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：20%
工作测试电流：30 mABase Number Matches：1

1N5365B 数据手册

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1N5333B Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted, V = 1.2 V Max @ I = 1.0 A for all types)  
A
F
F
Leakage  
Current  
Zener Voltage (Note 7)  
Zener Impedance (Note 7)  
I
R
DV  
I
ZM  
Z
V (Volts)  
Z
@ I  
Z
ZT  
@ I  
Z
ZK  
@ I  
I
ZK  
I @ V  
R R  
(Note 8) (Note 9) (Note 10)  
ZT  
ZT  
ZK  
Device  
Device  
Min Nom Max  
mA  
W
W
mA mA Max Volts  
A
Volts  
mA  
(Note 6)  
Marking  
1N5363B 1N5363B 28.5  
1N5364B 1N5364B 31.35  
1N5365B 1N5365B 34.2  
1N5366B 1N5366B 37.05  
1N5367B 1N5367B 40.85  
30  
33  
36  
39  
43  
31.5  
34.65  
37.8  
40.95  
45.15  
40  
40  
30  
30  
30  
8
140  
150  
160  
170  
190  
1
1
1
1
1
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
22.8  
25.1  
27.4  
29.7  
32.7  
3.7  
3.5  
3.5  
3.1  
2.8  
0.6  
0.6  
0.65  
0.65  
0.7  
158  
144  
132  
122  
110  
10  
11  
14  
20  
1N5368B 1N5368B 44.65  
1N5369B 1N5369B 48.45  
1N5370B 1N5370B 53.2  
47  
51  
56  
60  
62  
49.35  
53.55  
58.8  
63  
25  
25  
20  
20  
20  
25  
27  
35  
40  
42  
210  
230  
280  
350  
400  
1
1
1
1
1
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
35.8  
38.8  
42.6  
45.5  
47.1  
2.7  
2.5  
2.3  
2.2  
2.1  
0.8  
0.9  
1.0  
1.2  
1.35  
100  
93  
86  
79  
76  
1N5371B 1N5371B  
57  
1N5372B 1N5372B 58.9  
65.1  
1N5373B 1N5373B 64.6  
1N5374B 1N5374B 71.25  
1N5375B 1N5375B 77.9  
1N5376B 1N5376B 82.65  
1N5377B 1N5377B 86.45  
68  
75  
82  
87  
91  
71.4  
78.75  
86.1  
91.35  
95.55  
20  
20  
15  
15  
15  
44  
45  
65  
75  
75  
500  
620  
720  
760  
760  
1
1
1
1
1
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
51.7  
56  
62.2  
66  
2.0  
1.9  
1.8  
1.7  
1.6  
1.52  
1.6  
1.8  
2.0  
2.2  
70  
63  
58  
54.5  
52.5  
69.2  
1N5378B 1N5378B  
95  
100  
105  
12  
12  
10  
10  
8
90  
800  
1
1
1
1
1
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
76  
1.5  
1.4  
1.3  
1.2  
1.2  
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
47.5  
43  
39.5  
36.6  
34  
1N5379B 1N5379B 104.5 110 115.5  
1N5380B 1N5380B 114 120 126  
1N5381B 1N5381B 123.5 130 136.5  
1N5382B 1N5382B 133 140 147  
125  
170  
190  
230  
1000  
1150  
1250  
1500  
83.6  
91.2  
98.8  
106  
1N5383B 1N5383B 142.5 150 157.5  
1N5384B 1N5384B 152 160 168  
1N5385B 1N5385B 161.5 170 178.5  
1N5386B 1N5386B 171 180 189  
1N5387B 1N5387B 180.5 190 199.5  
1N5388B 1N5388B 190 200 210  
8
8
8
5
5
330  
350  
380  
430  
450  
1500  
1650  
1750  
1750  
1850  
1
1
1
1
1
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
114  
122  
129  
137  
144  
1.1  
1.1  
1.0  
1.0  
0.9  
3.0  
3.0  
3.0  
4.0  
5.0  
31.6  
29.4  
28  
26.4  
25  
5
480  
1850  
1
0.5  
152  
0.9  
5.0  
23.6  
Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices. Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value.  
6. TOLERANCE AND TYPE NUMBER DESIGNATION  
The JEDEC type numbers shown indicate a tolerance of ±5%.  
7. ZENER VOLTAGE (V ) and IMPEDANCE (I and I )  
Z
ZT  
ZK  
Test conditions for zener voltage and impedance are as follows: I is applied 40 ±10 ms prior to reading. Mounting contacts are located 3/8″  
Z
to 1/2″ from the inside edge of mounting clips to the body of the diode (T = 25°C +8°C, −2°C).  
A
8. SURGE CURRENT (I )  
R
Surge current is specified as the maximum allowable peak, non−recurrent square−wave current with a pulse width, PW, of 8.3 ms. The data  
given in Figure 5 may be used to find the maximum surge current for a square wave of any pulse width between 1 ms and 1000 ms by plotting  
the applicable points on logarithmic paper. Examples of this, using the 3.3 V and 200 V zener are shown in Figure 6. Mounting contact located  
as specified in Note 7 (T = 25°C +8°C, −2°C).  
A
9. VOLTAGE REGULATION (DV )  
Z
The conditions for voltage regulation are as follows: V measurements are made at 10% and then at 50% of the I max value listed in the  
Z
Z
electrical characteristics table. The test current time duration for each V measurement is 40 ±10 ms. Mounting contact located as specified  
Z
in Note 7 (T = 25°C +8°C, −2°C).  
A
10.MAXIMUM REGULATOR CURRENT (I  
)
ZM  
The maximum current shown is based on the maximum voltage of a 5% type unit, therefore, it applies only to the B−suffix device. The actual  
for any device may not exceed the value of 5 watts divided by the actual V of the device. T = 75°C at 3/8″ maximum from the device  
I
ZM  
Z
L
body.  
http://onsemi.com  
4
 
12345678

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