1N4151

更新时间： 2024-02-29 01:58:51

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威世 - VISHAY		二极管
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4页	43K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode

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1N4151 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.61
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4151 数据手册

1N4151

Vishay Telefunken

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Test Conditions

I =50mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

0.88

V =50V

V =50V, T =150 C

Breakdown voltage

Diode capacity

Reverse recovery time I =I =10mA, i =1mA

I =5 A

V =0, f=1MHz, V =50mV

(BR)

I =10mA, V =6V,

i =0.1xI , R =100

Characteristics (T_j= 25 C unless otherwise specified)

100

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

Scattering Limit

f=1MHz

T =25°C

0.1

0.01

V =50V

200

100

120

160

0.1

94 9151

T – Junction Temperature ( °C )

94 9153

V – Reverse Voltage ( V )

Figure 3. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage

Figure 1. Reverse Current vs. Junction Temperature

1000

T =100°C

100

T =25°C

0.1

2.0

0.4

0.8

1.2

1.6

94 9152

V – Forward Voltage ( V )

Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

2 (4)

Document Number 85523

Rev. 2, 01-Apr-99

123 4

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