Datasheet > 1N4151/F2

1N4151/F2

更新时间： 2024-10-30 20:10:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关二极管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N4151/F2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.44
其他特性：	FAST SWITCHING	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-204AH	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4151/F2 数据手册

1N4151

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Small-Signal Diode

DO-204AH (DO-35 Glass)

Features

• Silicon Epitaxial Planar Diode

• Fast switching diode

• This diode is also available in other case styles

including the SOD-123 case with the type

designation 1N4151W, and the MiniMELF case with

the type designation LL4151.

Mechanical Data

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches

and (millimeters)

Packaging Codes/Options:

F2/10K per Ammo tape (52mm tape), 50K/box

F3/10K per 13” reel (52mm tape), 50K/box

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

V_R

V_RM

Average Rectified Current

Half Wave Rectification with Resistive Load

I_F(AV)

150

at Tamb = 25°C and f ≥ 50Hz⁽¹⁾

Surge Forward Current at t < 1s and T_j= 25°C

Power Dissipation at T_amb= 25°C⁽¹⁾

Thermal Resistance Junction to Ambient Air⁽¹⁾

Junction Temperature

I_FSM

P_tot

R_θJA

T_j

500

°C/W

°C

350

175

Storage Temperature Range

T_S

–65 to +175

°C

Electrical Characteristics (T_J= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_(BR)R

V_F

Test Condition

I_R= 5µA (pulsed)

I_F= 50mA

Min

Typ

Max

—

Unit

Reverse Breakdown Voltage

Forward Voltage

—

1.0

V_R= 50V

V_R= 50V, T_j= 150°C

—

µA

Leakage Current

Capacitance

I_R

C_tot

V_F= V_R= 0V

—

I_F= 10mA to I_R= 10mA

to I_R= 1mA

—

Reverse Recovery Time

Rectification Efficiency

t_rr

I_F= 10mA to I_R= 1mA

V_R= 6V, R_L= 100Ω

—

η_ν

f = 100MHz, V_RF= 2V

0.45

—

Note: (1) Valid provided that at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

Document Number 88106

13-May-02

www.vishay.com

12 3

中文翻译

下载PDF

与1N4151/F2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4151_07	VISHAY	获取价格	Small Signal Fast Switching Diodes
1N4151_11	MCC	获取价格	500mW Silicon Switching Diode
1N4151_12	VISHAY	获取价格	Small Signal Fast Switching Diodes
1N4151_12	MCC	获取价格	500mW Silicon Switching Diode
1N4151_15	GOOD-ARK	获取价格	Small-Signal Diode Fast Switching Diode
1N4151-1	MICROSEMI	获取价格	Switching Diode
1N4151-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4151-1E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC
1N4151-B	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, Silicon
1N4151BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35,

与1N4151/F2相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

19
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N4151/F2

1N4151/F2 技术参数

1N4151/F2 数据手册

与1N4151/F2相关器件

与1N4151/F2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N4151/F2

1N4151/F2 技术参数

1N4151/F2 数据手册

与1N4151/F2相关器件

与1N4151/F2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？