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16F100MS02PBF

更新时间： 2024-02-10 05:01:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 2598K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F100MS02PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-4
包装说明：O-MUPM-D1针数：1
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.5其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流：190 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最大输出电流：16 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.2 µs表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

16F100MS02PBF 数据手册

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1N3879(R), 1N3889(R), 6/ 12/ 16FL(R) Series  
Recovery Characteristics  
1N3879. 1N3889.  
6FL..  
Parameter  
1N3883. 1N3893. 12FL.. Units Conditions  
16FL..  
S02 S05  
t
Max.reverserecoverytime  
150  
150  
...  
...  
TJ =25°C,IF=1AtoVR=30V,dIF/dt=100A/µs  
TJ =25°C,dIF/dt=25A/µs,IFM =pxratedIF(AV)  
rr  
ns  
---  
300*  
300*  
200 500  
...  
IRM(REC) Max.peakrecoverycurrent  
4*  
5*  
IFM =pxratedIF(AV)  
QRR  
Max.reverse  
400  
400  
350  
400  
...  
...  
...  
...  
TJ =25°C,IF=1AtoVR=30V,dIF/dt=100A/µs  
TJ =25°C,dIF/dt=25A/µs,IFM =pxratedIF(AV)  
nC  
recovered charge  
*JEDECregisteredvalue  
Thermal and Mechanical Specification  
1N3879. 1N3889.  
Parameter  
1N3883. 1N3893.  
Units Conditions  
°C  
6FL..  
12FL..  
16FL..  
1.6  
TJ  
T
Max. junctionoperating  
temperature range  
Max. storagetemperature  
range  
-65 to 150  
23  
stg  
-65 to 175  
2.0  
RthJC Max. thermal resistance,  
junction to case  
2.5  
DC operation  
C/W  
RthCS Max. thermal resistance,  
case to heatsink  
0.5  
Mounting surface, smooth, flat and greased  
T
Allowable mounting torque  
1.5+0-10%  
13  
Nm  
lbf.in  
Nm  
Not lubricated threads  
Lubricated threads  
1.2+0-10%  
10  
lbf.in  
wt  
Approximateweight  
Case style  
7 (0.25)  
g(oz)  
DO-203AA(DO-4)  
JEDEC  
∆RthJC Conduction  
(The following table shows the increment of thermal resistence RthJC when devices operate at different conduction angles than DC)  
1N3879.  
1N3883.  
6FL..  
1N3889.  
1N3893.  
12FL..  
1N3879.  
1N3883.  
6FL..  
1N3889.  
1N3893.  
12FL..  
16FL..  
16FL..  
Conduction angle  
Sinusoidal conduction  
Rectangular conduction  
Units Conditions  
180°  
120°  
60°  
0.58  
0.46  
0.48  
1.02  
1.76  
0.37  
0.33  
0.26  
0.46  
1.02  
1.76  
0.21  
0.60  
1.28  
2.20  
0.39  
0.82  
1.41  
0.58  
1.28  
2.20  
0.37  
0.82  
1.41  
K/W  
TJ = 150°C  
30°  
3
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
16F100MS05 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F100MS05PBF INFINEON Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F100S02 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F10M VISHAY Standard Recovery Diodes (Stud Version), 16 A

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16F10M INFINEON Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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