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16F100MS02PBF

更新时间： 2024-02-02 03:54:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 2598K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F100MS02PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-4
包装说明：O-MUPM-D1针数：1
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.5其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流：190 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最大输出电流：16 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.2 µs表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

16F100MS02PBF 数据手册

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1N3879(R), 1N3889(R), 6/ 12/ 16FL(R) Series  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
VRRM max. repetitive  
VRSM , maximum non- IRRM max. IRRM max. IRRM max.  
Type number  
Code peak and off-state voltage repetitive peak voltage TJ = 25°C TJ = 100°C TJ = 150°C  
V
V
µA  
mA  
mA  
1N3879.  
1N3880.  
1N3881.  
1N3882.  
1N3883.  
1N3889.  
1N3890.  
1N3891.  
1N3892.  
1N3893.  
50  
75  
100  
200  
300  
400  
50  
100  
200  
300  
400  
150  
250  
350  
450  
75  
150  
250  
350  
450  
-
15 *  
1.0 *  
3.0 *  
-
-
-
-
-
25 *  
3.0 *  
5.0 *  
12  
5
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
75  
150  
275  
500  
725  
950  
1250  
10  
20  
40  
60  
80  
100  
6FL..  
12FL..  
16FL..  
50  
-
6.0  
Forward Conduction  
1N3879.  
1N3889.  
Parameter  
1N3883. 6FL.. 1N3893. 16FL.. Units Conditions  
12FL..  
IF(AV) Max. average forward current  
@ TC = 100°C  
180° conduction, half sine wave.  
DC  
6*  
6
12 *  
16  
A
A
IF(RMS) Max. RMS current  
9.5  
85  
9.5  
130  
135  
110  
115  
86  
19  
170  
180  
145  
150 *  
145  
25  
IFSM  
Max. peak, one-cycle  
215  
225  
180  
190  
230  
210  
160  
150  
t = 10ms No voltage  
t = 8.3ms reapplied  
t = 10ms 100% VRRM  
non-repetitive forward current  
90  
A
72  
2222222222222  
75 *  
36  
t = 8.3ms reapplied  
Sinusoidal half wave  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
t = 10ms No voltage Initial TJ = 150°C  
t = 8.3ms reapplied  
33  
78  
130  
A2s  
26  
23  
60  
55  
103  
94  
t = 10ms 100% VRRM  
t = 8.3ms reapplied  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
363  
1.4 *  
1.5 *  
856  
1.4  
1.5  
1452  
1.4 *  
1.5 *  
2290 A2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
VFM  
Max. forward voltage  
1.4  
1.5  
TJ = 25°C, IF = rated IF(AV) (D.C.)  
V
TC = 100°C, IFM = π x rated IF(AV)  
*JEDECregisteredvalue  
2
1234567...10

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与16F100MS02PBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
16F100MS05 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F100MS05PBF INFINEON Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F100S02 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F10M VISHAY Standard Recovery Diodes (Stud Version), 16 A

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