15MQ040NTR

更新时间： 2024-02-26 15:36:41

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英飞凌 - INFINEON		二极管光电二极管
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SCHOTTKY RECTIFIER

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15MQ040NTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.14	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.49 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	330 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	2.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

15MQ040NTR 数据手册

15MQ040N

Bulletin PD-20517 rev. H 07/04

Voltage Ratings

Part number

15MQ040N

V_R

Max. DC Reverse Voltage (V)

V_RWMMax. Working Peak Reverse Voltage (V)

Absolute Maximum Ratings

Parameters

15MQ Units

Conditions

I_F(AV)Max. Average Forward Current

*SeeFig. 4

2.1

50%dutycycle@T_L= 105°C, rectangularwaveform.

OnPCboard9mm²island(.013mmthickcopperpad area)

Following any rated

load condition and

I_FSMMax. Peak One Cycle Non-Repetitive

SurgeCurrent *SeeFig. 6

330

140

6.0

5µs Sineor3µsRect. pulse

10ms Sine or 6ms Rect. pulse with rated V_RRMapplied

E_ASNon-Repetitive Avalanche Energy

mJ T_J=25°C,I_AS=1A,L=12mH

I_AR

Repetitive Avalanche Current

1.0

Electrical Specifications

Parameters

15MQ Units

Conditions

V_FMMax. Forward Voltage Drop

* See Fig. 1

(1)

0.42

0.49

0.34

0.43

0.5

@ 1A

@ 2A

@ 1A

@ 2A

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

I_RMMax. Reverse Leakage Current (1)

* See Fig. 2

mA T_J= 25 °C

mA T_J= 125 °C

V_R= rated V_R

V_F(TO)Threshold Voltage

0.26

64.6

134

T_J= T_Jmax.

r_t

Forward Slope Resistance

Typical Junction Capacitance

Typical Series Inductance

mΩ

C_T

L_S

V_R= 10V_DC, T_J= 25°C, test signal = 1Mhz

2.0

nH Measured lead to lead 5mm from package body

V/µs (Rated V_R)

dv/dt Max. Voltage Rate of Change

(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%

10000

Thermal-Mechanical Specifications

Parameters

15MQ Units

Conditions

T_J

Max. JunctionTemperatureRange (*) -40 to 150 °C

T_stgMax. Storage Temperature Range

-40 to 150 °C

R_thJAMax. Thermal Resistance Junction

to Ambient

°C/W DC operation

Approximate Weight

Case Style

Device Marking

0.07(0.002) g (oz.)

SMA

IR3F

Similar D-64

(*) dPtot

dTj

thermal runaway condition for a diode on its own heatsink

Rth(j-a)

www.irf.com

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