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12F100PBF

更新时间： 2024-02-29 04:42:05
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 137K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT, DO-4, 1 PIN

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12F100PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-4
包装说明：O-MUPM-D1针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.71
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流：280 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：12 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC50009-037
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

12F100PBF 数据手册

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12F(R) Series  
Bulletin I20205 rev. C 05/06  
ELECTRICALSPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VRRM, maximum  
VRSM, maximum non-  
VR(BR), minimum  
IRRM max.  
Type number  
repetitive peak  
reverse voltage  
V
repetitive peak  
reverse voltage  
V
avalanche  
voltage  
@ TJ = 175°C  
V
(1)  
mA  
10  
20  
100  
200  
150  
275  
--  
--  
40  
400  
500  
500  
750  
950  
1150  
1350  
12F(R)  
60  
600  
725  
12  
80  
800  
950  
100  
120  
1000  
1200  
1200  
1400  
(1) Avalanche version only available from VRRM 400V to 1200V.  
Forward Conduction  
Parameter  
12F(R)  
Units Conditions  
IF(AV) Max. average forward current  
@ Case temperature  
12  
144  
19  
A
°C  
A
180° conduction, half sine wave  
IF(RMS) Max. RMS forward current  
PR  
Maximum non-repetitive  
peak reverse power  
7
K/W 10μs square pulse, TJ = TJ max.  
see note (2)  
IFSM  
Max. peak, one-cycle forward,  
265  
280  
225  
235  
351  
320  
250  
226  
3510  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
No voltage  
reapplied  
non-repetitive surge current  
A
100% VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
Initial TJ = TJ max.  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
No voltage  
reapplied  
A2s  
100% VRRM  
reapplied  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
A2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
VF(TO)1 Low level value of threshold  
0.77  
0.97  
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
voltage  
V
VF(TO)2 High level value of threshold  
voltage  
(I > π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
r
Low level value of forward  
slope resistance  
1
f
10.70  
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
mΩ  
r
High level value of forward  
slope resistance  
2
f
6.20  
1.26  
(I > π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
VFM  
Max. forward voltage drop  
V
I = 38A, TJ = 25°C, t = 400μs rectangular wave  
pk p  
(2) Available only for Avalanche version, all other parameters the same as 12F.  
2
www.irf.com  
123456

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与12F100PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
12F100S02PBF INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F100S05 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F100S05PBF INFINEON

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12F10B INFINEON

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 		6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes
12F10BM INFINEON

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 		暂无描述
12F-10E YUANDEAN

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12F-10EGYDSNW2NL YUANDEAN

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12F10M NJSEMI

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 		Diode Switching 100V 16A 2-Pin DO-4
12F10M VISHAY

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 		Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 A
12F10M INFINEON

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 		STANDARD RECOVERY DIODES

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