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12F100MS02

更新时间： 2024-02-07 19:56:20

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	2598K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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12F100MS02 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-4
包装说明：	DO-4, 1 PIN	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.5
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-203AA	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	12 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.2 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12F100MS02 数据手册

1N3879(R), 1N3889(R), 6/ 12/ 16FL(R) Series

Recovery Characteristics

1N3879. 1N3889.

6FL..

Parameter

1N3883. 1N3893. 12FL.. Units Conditions

16FL..

S02 S05

Max.reverserecoverytime

150

...

T_J=25°C,I_F=1AtoV_R=30V,dI_F/dt=100A/µs

T_J=25°C,dI_F/dt=25A/µs,I_FM=pxratedI_F(AV)

---

300*

200 500

...

I_RM(REC)Max.peakrecoverycurrent

I_FM=pxratedI_F(AV)

Q_RR

Max.reverse

400

350

400

...

T_J=25°C,I_F=1AtoV_R=30V,dI_F/dt=100A/µs

T_J=25°C,dI_F/dt=25A/µs,I_FM=pxratedI_F(AV)

recovered charge

*JEDECregisteredvalue

Thermal and Mechanical Specification

1N3879. 1N3889.

Parameter

1N3883. 1N3893.

Units Conditions

°C

6FL..

12FL..

16FL..

1.6

T_J

Max. junctionoperating

temperature range

Max. storagetemperature

range

-65 to 150

stg

-65 to 175

2.0

R_thJCMax. thermal resistance,

junction to case

2.5

DC operation

C/W

R_thCSMax. thermal resistance,

case to heatsink

0.5

Mounting surface, smooth, flat and greased

Allowable mounting torque

1.5^+0-10%

lbf.in

Not lubricated threads

Lubricated threads

1.2^+0-10%

lbf.in

Approximateweight

Case style

7 (0.25)

g(oz)

DO-203AA(DO-4)

JEDEC

∆R_thJCConduction

(The following table shows the increment of thermal resistence R_thJCwhen devices operate at different conduction angles than DC)

1N3879.

1N3883.

6FL..

1N3889.

1N3893.

12FL..

1N3879.

1N3883.

6FL..

1N3889.

1N3893.

12FL..

16FL..

Conduction angle

Sinusoidal conduction

Rectangular conduction

Units Conditions

180°

120°

60°

0.58

0.46

0.48

1.02

1.76

0.37

0.33

0.26

0.46

1.02

1.76

0.21

0.60

1.28

2.20

0.39

0.82

1.41

0.58

1.28

2.20

0.37

0.82

1.41

K/W

T_J= 150°C

30°

1 234 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
12F100MS02PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F100MS05	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F100MS05PBF	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F100MS05PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F100PBF	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT,
12F100S02PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F100S05	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F100S05PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
12F10B	INFINEON	获取价格	6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes
12F10BM	INFINEON	获取价格	暂无描述

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