12F100M

更新时间： 2024-02-23 18:35:45

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管
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STANDARD RECOVERY DIODES

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12F100M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-4
包装说明：	O-MUPM-D1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.71
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-203AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	280 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	12 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC50009-037
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

12F100M 数据手册

12F(R) Series

Bulletin I20205 rev. A 09/98

180°

120°

90°

60°

30°

RMS Limit

Conduction Angle

12F(R) Series

T = 175°C

10 12 104

100

Average Forward Current (A) Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics

180°

120°

90°

60°

30°

RMS Limit

Conduction Period

12F(R) Series

T =175°C

200

100

Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Average Forward Current (A)

Fig. 4 - Forward Power Loss Characteristics

250

225

200

175

150

125

100

275

250

225

200

175

150

125

100

At Any Rated Load Condition And With

Rated V

MaximumNon Repetitive Surge Current

Versus Pulse Train Duration.

Initial T = 175°C

Applied Following Surge.

Initial T = 175°C

RRM

No Voltage Reapplied

Reapplied

@60 Hz 0.0083 s

@50 Hz 0.0100 s

Rated V

RRM

12F(R) Series

12F(R)Series

100

0.01

0.1

Pulse Train Duration (s)

Number Of Equal AmplitudeHalf Cycle Current Pulses (N)

Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

www.irf.com

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