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11LC040-ISN

更新时间： 2024-02-22 15:30:38

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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44页	801K
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1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet

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11LC040-ISN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.3	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
长度：	2.9 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	3	字数：	512 words
字数代码：	512	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TO-236
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.12 mm	串行总线类型：	1-WIRE
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.95 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	1.3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

11LC040-ISN 数据手册

11AAXXX/11LCXXX

NOTES:

DS22067H-page 42

Preliminary

 2010 Microchip Technology Inc.

1...39 40 414243 44

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