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11AA160T-ESN

更新时间： 2024-01-24 13:02:44

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet

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11AA160T-ESN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	TSSOP, TO-236	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.23	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
长度：	2.9 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	3	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TO-236
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.12 mm	串行总线类型：	1-WIRE
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.95 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	1.3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

11AA160T-ESN 数据手册

11AAXXX/11LCXXX

TABLE 4-2:

INTERNAL ADDRESS

COUNTER

4.2

Current Address Read (CRRD)

Instruction

Command

Event

Action

The internal address counter featured on the 11XX

maintains the address of the last memory array loca-

tion accessed. The CRRDinstruction allows the mas-

ter to read data back beginning from this current

location. Consequently, no word address is provided

upon issuing this command.

—

Power-on Reset Counter is undefined

READor

WRITE

MAK edge fol-

lowing each

Address byte

Counter is updated

with newly received

value

READ,

MAK/NoMAK

Counter is incre-

mented by 1

Note that, except for the initial word address, the

READ and CRRD instructions are identical, including

the ability to continue requesting data through the use

of MAKs in order to sequentially read from the array.

WRITE, or edge following

CRRD each data byte

Note: If, following each data byte in a READ,

WRITE, or CRRD instruction, neither a

MAK nor a NoMAK edge is received

(i.e., if a standby pulse occurs instead),

the internal address counter will not be

incremented.

As with the READinstruction, the CRRDinstruction is

terminated by transmitting a NoMAK.

Table 4-2 lists the events upon which the internal

address counter is modified.

Note: During a Write command, once the last

data byte for a page has been loaded,

the internal Address Pointer will rollover

to the beginning of the selected page.

FIGURE 4-2:

CRRD COMMAND SEQUENCE

Device Address

Standby Pulse

Start Header

SCIO

0 1 0 1 0 1 0 1

1 0 1 0 0 0 0 0⁽¹⁾

Command

Data Byte 1

Data Byte 2

7 6 5 4 3 2 1 0

SCIO

0 0 0 0 0 1 1 0

Data Byte n

SCIO

7 6 5 4 3 2 1 0

Note 1: For the 11XXXX1, this bit must be a ‘1’.

 2010 Microchip Technology Inc.

Preliminary

DS22067H-page 11

1...8 9 101112 13 14...44

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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