5秒后页面跳转
11EQ06 PDF预览

11EQ06

更新时间: 2024-02-21 07:26:15
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 43K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

11EQ06 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.32
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.58 V
JESD-30 代码:O-XALF-W2最大非重复峰值正向电流:25 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

11EQ06 数据手册

 浏览型号11EQ06的Datasheet PDF文件第1页浏览型号11EQ06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号11EQ06的Datasheet PDF文件第3页浏览型号11EQ06的Datasheet PDF文件第4页浏览型号11EQ06的Datasheet PDF文件第6页 
0°  
180°  
q
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATURE  
CONDUCTION ANGLE  
W ithout F in o r P .C . B oar d,V R M = 60V  
11EQ06  
D.C.  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
HALF SINE WAVE.  
RECT 120°.  
RECT 180°.  
RECT 60°.  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
0°  
180°  
q
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATURE  
CONDUCTION ANGLE  
P.C . B oar d m ounted (L= 8m m ,P rint L and= 10×10m m ),V RM =60 V  
11EQ06  
D.C.  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
RECT 180°.  
HALF SINE WAVE.  
RECT 120°.  
RECT 60°.  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
AMBIENT TEMPERATURE (°C)  

与11EQ06相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
11EQ06_15 NI SBD

获取价格

11EQ06_2015 NI SBD

获取价格

11EQ06TA1B2 NIEC Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.8A, 60V V(RRM), Silicon

获取价格

11EQ06TA2B2 NIEC Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.8A, 60V V(RRM), Silicon

获取价格

11EQ06TA2B5 NIEC Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.8A, 60V V(RRM), Silicon

获取价格

11EQ09 NIEC Low Forward Voltage drop Diode

获取价格