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11EQ06

更新时间: 2024-01-03 04:29:22
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NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 43K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

11EQ06 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.32
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.58 V
JESD-30 代码:O-XALF-W2最大非重复峰值正向电流:25 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

11EQ06 数据手册

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FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE  
11EQ06  
5
2
1
Tj=25°C  
Tj=150°C  
0.5  
0.2  
0.1  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
0°  
180°  
q
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION  
CONDUCTION ANGLE  
11EQ06  
1.0  
D.C.  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
RECT 180°  
HALF SINE WAVE  
RECT 120°  
RECT 60°  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)  

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