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113MT100KBS90

更新时间： 2024-02-26 03:59:54

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威世 - VISHAY		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	111K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 6 Element

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113MT100KBS90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X14
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.09	其他特性：	UL APPROVED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	3 PHASE BRIDGE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	JESD-30 代码：	R-PUFM-X14
JESD-609代码：	e2	元件数量：	6
端子数量：	14	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
断态重复峰值电压：	1000 V	重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

113MT100KBS90 数据手册

53-93-113MT..KB Series

Bulletin I27503 08/97

Steady State Value

= 1.07 K/W

= 0.86 K/W

= 0.70 K/W

53MT..KB Series

93MT..KB Series

thJC

(DCOperation)

113MT..KB Series

0.1

0.01

Per Junction

0.001

0.01

0.1

Square Wave Pulse Duration (s)

Fig. 16 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

100

Rectangular gate pulse

a) Recommended load line for

rated di/dt: 20 V, 30 ohms

tr = 0.5 µs, tp >= 6 µs

b) Recommended loadline for

<= 30% rated di/dt: 20 V, 65 ohms

tr = 1 µs, tp >=6 µs

(1) PGM= 100 W, tp = 500 µs

(2) PGM= 50 W, tp = 1 ms

(3) PGM= 20 W, tp = 25 ms

(4) PGM= 10 W, tp = 5 ms

(a)

(b)

(4)

(2) (1)

(3)

VGD

IGD

53/ 93/ 113MT..KBSeries Frequency Limited by PG(AV)

0.1 10 100 1000

0.1

0.001

0.01

Instantaneous Gate Current (A)

Fig. 17 - Gate Characteristics

www.irf.com

1...6 7 89

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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113MT100KBS90PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 6 Element	获取价格
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